レゾナックが国内初成功、「12インチSiC基板」を開発 – ニュースイッチ

         

レゾナックは１５日、炭化ケイ素（ＳｉＣ）で、直径３００ミリメートル（１２インチ）のＳｉＣ単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。ＳｉＣを用いた

レゾナックは１５日、炭化ケイ素（ＳｉＣ）で、直径３００ミリメートル（１２インチ）のＳｉＣ単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。ＳｉＣを用いた ...続きを確認する

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